Өмнөх туршилтанд бид хагас дамжуулагч LED диодны хүчдэл гүйдлийн хамааралыг судалсан. Тэгвэл одоо транзистортой танилцаж эхлэе. Хагас дамжуулагч транзистор нь нэг гүйдлээр өөр гүйдлийг удирддаг электрон элемент юм. Eрдийн хагас дамжуулагч диод дотор байдаг P-N шилжилт NPN транзисторт ч хоёр, PNP транзисторт ч хоёр байдаг.
Энэхүү туршилтаараа транзисторын Бааз-Эмиттерийн P-N шилжилтийн хүчдэл-гүйдлийн хамааралыг судалж үзье.
Туршилтанд хэрэглэгдэх зүйлс:
- Мультиметр багаж
- 10kΩ эсэргүүцэгч (33)
- NPN транзистор (52)
- Хувьсах эсэргүүцэгч - потенциометр (53)
- 3V зай хураагуур (19) 1ш
- Шаардлагатай холбогчууд
- Угсралтын хавтан
Хэлхээнд унтраалга түлхүүр ашиглаагүй болохыг анхаар! Угсрахаас өмнө зай хураагууруудын нэгийг үүрнээс салгаж ав! Хэлхээг угсарч дуусаад сайтар шалгасаны дараа зай хураагуурыг хийж ажиллуулна. Хэмжиж дуусаад зай хураагуурыг салга!
Туршилтын схем:
Туршилтын схемд үзүүлсэн (a) зураг нь бодит хэлхээ бөгөөд (b) зураг нь түүний диодоор төлөөлүүлсэн загвар юм. Бид транзисторын Бааз-Эмиттерийн шилжилт дээр хэмжилт хийнэ. Потенциометрийг хамгийн доод байрлалд тавихад Бааз-Эмиттерийн хоорондох хүчдэл тэгтэй тэнцүү болно. Харин потенциометрийг хамгийн дээд байрлалд тавибал Бааз-Эмиттерийн хүчдэл хамгийн их болно. Ингээд доод байрлалаас бага багаар нэмэгдүүлж 10kΩ эсэргүүцэгч дээр унасан хүчдэл (VR) болон Бааз-Эмиттер хоорондох VBE хүчдэлийг хэмжиж авна. Ингээд ID = VR/10000 томъёогоор гүйдлийг бодож олоод ID ~ VBE хамаарлын графикийг байгуулна.
Одоо хийсэн хэмжилтийн үр дүнг харуулая.
Графикийг 2-р хэмжилтээс эхлэн байгуулав. Эндээс үзвэл транзисторын Бааз-Эмиттерийн шилжилт хагас дамжуулагч диодтой төстэй хэлбэрийн муруйг үзүүлдэг байна.
Одоо хийсэн хэмжилтийн үр дүнг харуулая.
No comments:
Post a Comment